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电子元器件详细资料 » IC[27030] » SI4448DY-T1-GE3
型号:SI4448DY-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)12V
电流_连续漏极(Id)0a025000C50A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.7 毫欧 @ 20A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs150nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds12350pF @ 6V
功率_最大7.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

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SI4448DY-T1-GE3相关型号

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